Помощь студентуСтатьиУчебные статьиФизика - шмызика
21 Декабря 2024, Суббота
20:11
>>> Качественная веб-разработка <<<
20:11
Меню сайта
>Г Л А В Н А Я

>Ф А Й Л Ы

>С Т А Т Ь И

>Р Е Ф Е Р А Т Ы

>Ф О Р У М

>О Т З Ы В Ы

>Т Е С Т Ы

>F l a s h И Г Р Ы

>Ф О Т О Ш О П


Советуем...
Программа решает СЛУ методом Гаусса
Очень хорошая программа для решения Систем Линейных Уравнений методом Гаусса. Выводится подробный ответ, по действиям. Приводит к ступенчатому виду.

В. А. Артамонов Лекции по алгебре,1 семестр
Хороший учебник по Высшей математике. Все описывается кратко, но понятно. Так что, если Вы прогуляли лекцию, то этот учебник поможет Вам.

SchoolBoy 5
SchoolBoy - "Программа, позволяющая выполнять большое количество математических действий. Пригодится там, где необходимо проводить множественные расчеты (особенно последовательные или однотипные) с использованием сложных выражений. При этом допускается ввод сразу всего задания (состоящего из неограниченного числа подзаданий, разделяемых точкой с запятой) и решение его одним нажатием кнопки, после которого на экран будет выведен окончательный результат и все промежуточные."
Допускается ввод сразу всего задания (состоящего из неограниченного числа подзаданий, разделяемых точкой с запятой) и его решение одним нажатием кнопки, после которого на экран будет выведен не только окончательный результат, но и все промежуточные.
Программа обладает удобным и простым интерфейсом, имеется возможность сохранения/печати заданий и результатов вычислений.

работа с файлами Паскаль
Задача:
Создать типизированный файл и найти произведение цифр, стоящих на нечетных местах.

Пример:
1 23 456 1234
1*3*5*1*3=45


Опрос
Вы учитесь в ...
Всего ответов: 669

Сотрудничество
Поставьте себе на сайт и сообщите мне


код кнопки:



Статьи
Главная » Статьи » Учебные статьи

Физика - шмызика

1.Основные положения учения об электричестве. Закон Кулона.
При определенных условиях тела могут электризоваться. Это проявляется во взаимодействии заряженных тел. Существует два вида зарядов: + , –. Заряды одного занака отталкиваются, разного – притягиваются. Заряд всех элем.частиц одинаков по абс. велич. Его можно назвать элементарным зарядом е. Это протон, электрон (анти-протон, позитрон).Если в теле создать избыток каких-то зар. част., то оно будет заряжено. Можно просто поляризовать тело q=+-Ne (Сумм. Зар. = число зар.*е)
Суммарный заряд элек. изолир. тела не меняется.(Закон сохр. Эл. заряда).
Вещества бывают диэлектр, полупроводники, проводники.
Закон Кулона:Сила взаимодействия 2х точечных зарядов пропорциональна величине каждого из зарядов и обр.проп. квадр. расст. между ними. Коэф. проп. = К

2.Электрический диполь.Поле диполя.
Эл. диполем наз. сист. 2х одинак по велич. разноим зар.,расст. м/у кот,l<< чем расст. до точек в кот. опред. поле сист.
Поле в кажд точке представл. собой суперпозиц. полей точ. зар. f=p*sqr(1+3cos2L)/(kr3) L-угол. между осью диполя и направлением на точку, где нах. поле, p=ql электрич. момент. диполя.

3.Системы единиц СИ и СГСЭ.
Если взять за основные величины единицы длины, массы, времени и заряда, млжно построить систему единиц.
В основе абсолютной электростатич. сист. единиц лежат сантиметр, гр.,сек. и СГСЕ-ед.заряда. В её основе закон Кулона,т.е. взаимодейств. зар. тел.
В СГСЭ-сист. Fk=q1q2/r т.е. коэфиц. проп-ти=1.Cоответствущ. ед. заряда наз.абсолютной электростатической единицей заряда.Представляет собой заряд, взаимод. с таким же в вакууме на расст. 1см с силой в 1дин.Экспериментально уст.:е=4,8*10-10 сгсэ – ед.заряда.
СИ.Международная сист. единиц.
Метр,кг,сек, ампер, гр. Кельвина и свеча.Ед.силы – ньютон=105дин Заряда – Кулон 1К=3*109 сгсэ ед зар. Эл. заряд е=1,6*10-19К.

4.Поток вектора. Дивергенция. Теорема Острогр.-Гаусса.
Если имеется поле нек-го вектора А, то выр-е Ф=in(AndS,S) An-сост. вектора А по напр.нормали к dS наз. потоком вект. А через пов-ть S.Данное выр. может иметь разный физич. смысл в зав-ти от А, например поток вектора плотности потока энергии = потоку энергии через соотв. пов-ть.
Поток скорости дает объем жидк., протекающей за ед. вр. ч/з пов. S. Поток вектора Е численно равен колву линий Е, пронизывающих пов-ть S.
Частное от деления потока Фна величину объема V, из кот. этот поток вытекает, называется средней удельной мощностью источника, заключенного в V.При стремлении объ к нулю, т.е. при стягивании объ-ма к точке Р получим истинную удельную мощность ист. в точке Р, к-рую назыв. диверг. вектора. div(A)=Lim(v->p),(ФА/V).
Зная дивергенцию вект. А в к-дой, т. простр-ва, можно вычислить поток этого вектора ч/з любую поверхность конечных размеров.Для этого разобьем S на множество кусочков дV ==> Ф=div(A дV)
Просуммировав по всему объ in(div(A)dV,V).Мы пришла к соотношению кот. наз. Т.Острогр.-Гаусса. in0(AndS,S)=in(div(A)dV,V)

5.Связь напряженности и потенциала поля. Эквипотенциальные поверхности.
Одной из величин характеризующих электрическое поле явл. напряженность.Е.
Напряженность эл.поля численно равна силе, действующ. н ед. точ. заряд, находящийся в данной точке поля.Вектор Е совп с вектором силы, действующ. на положит. заряд.
Другой характеристикой эл. поля явл. потенциал ф. ф=Wp/qnp W=q*qnp/(r*k) Потенциальная энергия. ф=q/(r*k)/Потенциал численно равен потенциальной энергии, к-ой обладает в данной точке поля единич. положит. заряд. Потенциал поля сист. зарядов.равен сумме потенциалов кажд.,В то время, как напряженности поля складываются при наложении полей векторно, потенциалы же алгебраически.
Очевидно, что Е и ф должны быть как-то связаны. Е=-grad(ф). Градиент скалярной функции – это векторная величина с некоторыми св-вами.
Эквипотенциальная пов-ть – пов-ть все точки которой имеют одинаковый потенциал. Нормаль к экв. пов-ти будет совпадать с направлением вектора Е в той же точке. Линии напряженности в каждой точке ортогональны эквипотенциальным пов-тям. По густоте эквип. линий можно судить о напряженности поля. Чем гуще тем больше.

6.Теорема Гаусса.Её применение.
Поток вектора Е из поверх-ти численно равен кол-ву линий напряженности, пересек. эту пов-ть.А т.к. окружающую точ. заряд среду пронизывают q/e0 линий напряженности, то поток вектора Е ч/з сферическую пов-ть равен q/e0 .Знак потока совпадает со знаком заряда.Это всё верно и для пов-ти любой другой формы, если она замкнута и заключает в себе точечный заряд ку.
Пусть внутри замкнутой пов-ти заключено несколько точечных зарядов произв знаков q1,q2 и т.д. Поток Ф=(def)=in0(EndS,S). По суперпозиции имеем Еn=En1+En2+...=SSS(Eni) ==> Ф=SSS(in0(EnidS,S)), где Eni – нормальная сост. напряж. поля, создаваемого i-ым зарядом в отдельности. А т.к. in0(EnidS,S)=qi/e0 ==> in0(EndS,S)=SSS(qi)/e0. Это утверждение явл. теоремой Гаусса: поток вектора напряженности электр. поля ч/з замкнутую пов-ть равен алгебраич. сумме заключенных внутри этой поверхности зарядов, деленых на е0.
Для заряда распределенного внутри замкн. пов-ти непрерывно с объемной плотностью P
in0(EndS,S)=P*in(pdV,V) где p=Lim(v->0,дq/дV)
Данная теорема позв. в нек-ых случаях найти напряженность более просто, чем по формуле Е=q/(kr2).Данная теорема исп. для нахождения поля бескон. однородной заряж. плотности, 2х разноименно заряж плоскостей, беск. зар. цилиндра, заряж сферич. пов-ти.

7.Работа сил электростатического поля.
Центральное поле сил потенциально.Электростатическое поле – поле, создаваемое неподвижными зарядами. Убедимся в том, что электрост. поле потенциально. НАйдем работу сил поля неподв. q над перемещающимся q’. На эл. пути dl равна dA=fdlcos(a)=qq’dl*cos(a)/(k*r2)=qq’dr/(kr2)
Работа 1-2: А12=qq’*(in(dr/r2,r2-r1))/k=(qq’/r1-qq’/r2)/k ==> работа не зависит от траектории, а только от конечных положений ==> силы, действующие на ку» потенциальны.
Циркуляция вектора напряженности по любому замкнутому контуру равна нулю.in0(EldL)=0

8.Электрическое поле в веществе. Основные принципы описания.
Заряды занимают не более чем 10-15 вещ-ва. После измерения с помощью пробного заряда (вносим заряд в поле и он это поле не меняет).
3 основные проблемы :
размеры, плотность заряда в вещ-ве, пробный заряд.
Макрополе в вещ-ве E=in(EмикрdV)/V ρ=in(ρмикроdV) – плотность заряда.
В объем должно входить досаточно много атомов, чтобы оценка была адекватной. Смещение частиц во внешнем поле зависит от структуры вещ-ва.

9.Электрическое поле в диэлектриках. Полярные молекулы.
При внесении диэлектрика в электрич. поле диэлектрик исп. существенные изм.В составе атомов и мол-л имеются + ядра и – электроны. Последние движутся с огр. скоростью == действие эл-ов на внешние заряды => его сост. покоя в точке, полученной усреднением положения электрона по времени.
Для расстояний >> мол-лы, действ. эл-лов= действию их суммарного заряда, помещенного в нек-ую точку внутри мол-лы.Эта точка – центр тяжести отриц. зарядов. С ядрами то же самое, центр полож. зар-ов.Положение центра тяжести зарядов вычисляется как и центр тяжести, но с заменой масс зарядами: r+(r-vector)=SSS(qi+ri+)/SSS(qi+) сумма полож зар. мол.
При отсутствии внешнего электрич. поля центры тяжести + и – зар-ов могут либо совп., либо быть сдвинутыми. Если (2), то мол-ла эквивал-на диполю и наз. полярной, облад. электрич. моментом Р, для кот-го: p=ql=q(r+-r-)=SSS(qi+ri+)+ SSS(qi-ri-) или p=sss(qKrK).Если (1) центры совп., то мол-ла неполярна и эл. моментом не обладает.

10.Диполь в электрическом поле. Поляризуемость молекулы.
На заряды q1 и q2 диполя в однородном электр. поле действуют равномощные силы f1 и f2.Они противопол. по напр. и образ. плечо lSinL.|f| =qE Величина момента пары сил M=qElSinL=pESinL , где p - эл. момент диполя.
Момент M= [pE]стремится установить момент p диполя по направлению поля.
В неоднородном поле f1=/=f2.Поле быстрее всего изменяется в том месте, где находится диполь. Заряды смещены на lCosL == > Напряженность зарядов разная дE=бE/бx дx=бE*lCosL/бx ==> Результирующая f1,f2, а точнее её проекция на х: f=qдE=q*бE/бx*lCosL=p(бE/бx)*CosL ==> Нa диполь уже действует не только вращательный момент, но и f кот-ая либо втягивает диполь в более сильное поле, либо выталкивает (если /_ тупой).
Мол-лы бывают полярными (со смещенными центрами масс зарядов) и неполярными (со совп. центрами). Последние, под действием электр. поля, становятся полярными, т.к. смещаются центры масс: + по полю, - против поля. Это поляризация мол-лы p=βe0E,где e0- электр. пост, а β– поляризуемость.Процесс поляризации протекает так, как будто + и – заряды упруго связаны. Говорят, что неполярная молекула во внутреннем поле ведет себя как упругий диполь. А полярная, как жесткий.
[highslide][/highslide]


12.Сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики.
Сегнетоэл. – в-ва самопроизвольно поляризующиеся без внешнего поля.
Отличия от диэлектриков:1) 103<е<104 2) D от E зависит не линейно ==> диэл. прониц. зависит от напряженности поля 3) При изменениях поля значение вектора поляризации Р (и D) отстает от напряженности Е ==> P и D вычисляются не только по текущ. Е, но и по предшеств. Это гистерезис.При Е=0 в-во имеет остаточную поляризацию Р. Только под действием противоп. поля напряж. Ес поляризация = 0. Ес – коэрцитивная сила. Сегнетоэл. – кристаллич. вещ-ва без центра симметрии. Дипольные моменты спонтанно устанавл. // др. к др.Области самопроизв. поляризации называют доменами. При точке Кюри – не сегнетоэл.
Пьезоэл. – вещ-ва, поляриз. при деформации. Величина поляризации зависит от деформации.
Решетку кристалла можно представить в виде нескольких образованных разными атомами или группами более простых решеток, вставленных др. в др. Если кристалл не имеет центра симметрии, то при деформации происходит сдвиг решеток, вызывающий электрич. момент.
Существует обратный пьезо-эффект: деформация под воздействием электрич поля. Этот эфф. зависит от поля линейно и при изменении направления поля меняет знак.
13.Поле внутри плоской пластины.
Пластина из диэлектрика помещена в поле, создаваемое в вакууме двумя бесконечными разноименными плоскостями.Е0 – напряженность. D0=e0E0 – смещение
Под действием поля диэлектрик поляризовался и на его поверхностях появились связанные заряды плотности σ. Они создают внутри пластины однородное поле с напряженностью E'= σ’/e0. Вне диэлектрика E`=0. Напр. E0= σ/e0. Оба поля -> <- ==> внутри диэлектрика Е=Е0-Её=Е0- σ/е0=(σ- σ’)/е0. Вне диэлектр.Е=Е’ Поляризация диэлектрика обусловлена полем. Оно |_ пов-ти пластины, Еn=E и σ’=χεΕ. Имеем Е=Е0-χЕ откуда Е=Е0/е, где диэл. прониц. е показывает, во сколько раз ослабляется поле за счет диэлектрика.
D=e0eE=e0E0
14.Поле внутри шарового слоя.
Заряженная сфера окружена концентрическим шаровым слоем из однородн. диэлектрика. На внутренней пов. появится связанный заряд q распределенный с плотностью σ1’=(q1`=4Пr2σ’) на наруж. q2 c плотн. σ2’/q2`=4Пr2σ1’. Заряды q1 и q2 создают на расстояниях r1>>R1 поле, совпадающее с полем точечного заряда такой же величины. Внутри поверхностей, по кот. они распр. q1 & q2 поля не создают.E`=(1/4πe0)(q1/r2)= (1/4πe0)(4R2πσ1`/r2)=R12σ1`/(e0r2).Напряженность противоположна по направлению напряженности Е0.
Е(результ. в диэл.)=Е®=Е0-Е`=q/(kr2)-R12σ1`/(e0r2). Она убывает по закону 1/r2.В непосредс. близости к поверх. внутр. слоя. E(R1)=E®r2/R12 σ1`=χe0E(R1)=χe0E®r2/R12.Из всего следует E®=E0®-χE® ==> внутри диэл. Е=Е0/е и D=e0E0 Вне шарового слоя Е`=0 E=E0 Если R1=R R2=** ==> e=q/(ker2) напр. в однор. безгранич. диэл.
15. Проводники в электрическом поле. Равновесие зарядов на проводнике.
Т.к. носители заряда в проводнике способны перемещаться под возд. сколь угодно малой силы, равновесие зарядов на проводнике наблюдается при следующих условиях:
1) Напряженность поля всюду внутри проводника должна быть равна нулю. Е=0 , а потенциал долж. быть постоянен. ф=const.
2) Напряженность на поверхности должна быть в кажд. т. напр. по нормали к пов-ти Е=Еn, сл. в случ. равновесия зарядов пов-ть будет эквипотенц.
Если проводящему телу сообщить заряд , то он распределится так, чтобы соблюдались усл. равнов.И ни в каком месте проводника не может быть избытка зарядов.
Напр. поля вблизи пов-ти проводника Е=σ/(е0е) е- отн. диэл. прон. среды.
16.Электроемкость.
Сообщенный проводнику заряд распр. по его пов-ти так, чтобы напр-ть поля внутри проводника была нулевой. Если ему сообщить еще такой же заряд, то он тоже должен распределиться, иначе поле внутри станет ненулевым.
Различн. по велич. заряды. распр. на удаленном проводнике так, что его потенциал пропорц. наход. на нем заряду. Также возрастает и потенц. проводника.
q=Cф где С- электроемкость. те С=q/ф Ёмк. численно равна заряду, сообщ. кот. проводнику, повысит его потенц. на 1.
За единицу ёмкости принимают ёмкость такого проводника, потенциал к-го изм. на 1в при сообщ. ему зар в 1кулон. Эта единица емкости – Фарада.
19.Энергия системы зарядов.
Найдем потенциальную энергию системы точ. зар-ов. Работа переноса заряда q1 из беск-ти в точку, удал на r12 q2 A1=q1ф=q1q2/(4Пe0r12), где ф1 – потенц., созд. зарядом 2 в т.,куда перем. 1. Работа для 2 такая же. Оба выр-я одинаковы. Энергия системы W=(q1ф1+q2ф2)/2 Если перенести 3 на заданное расст. от 1 на r13 и q2 на r23 : A3=q3ф3=(q3/k)(q1/r13+q2/r23) ==> W=q1q2/(kr12)+q3(q1/r13+q2/r23)/k T.E. W=(q1ф1+q2ф2+q3ф3)/2 ==> W=SSS(qiфi)/2
20. Энергия заряженного проводника. Энергия зар. конденсатора.
Перенос на пов-ть проводника зарядов сопровожд. работой, кот. растет из-за увелич. кол-ва заряда на проводнике.дA=фдq=qдq/C,где ф-потенц. провод. с уже имеющимся на нем з. С -емкость. дW=qdq/c ==> W=q2/(2*c)+const
У незаряж. провод. эн. нулев. const=0
W=q2/2C=qф/2=Cф2/2
Конд. Заряд конденсатора –это перенос зарядов д с одной обкл. на др.
дA=дq(ф1-ф2)=дqU U-напряжение на конденсаторе. dW=dA=Udq=qdq/c
Интегрируя получаем формулу. W=q2/2C=qU/2=CU2/2
21.Энергия электрического поля.
Найдем энергию конд. ч/з хар-ки электрост. поля м/у обкладками.
W=CU2/2=e0eSU2/2d=(e0e/2)(U/d)^2*Sd, а т.к. U/d=E, а Sd=V, получим W=e0eVE^2/2
Носителем энергии является поле. Если поле однородно, то заключенная в нем энергия распределяется в пространстве с пост. плотностью ω: ω=е0еЕ2/2 тк ω=эн.поля/объем.
Эта формула справедлива и для неоднородного поля. ω=ED/2 ω=D^2/(2e0e)
В изотропном диэлектрике направления векторов Е и D совпадают ==> ω=ED/2 или ω=E(e0E+p)/2=e0E^2/2+Ep/2 т.е. эн. поля + эн. на поляриз. диэл-ка.
25.Закон Ома. Электрич. сопротивление. Сверх-проводимость.
Пусть есть простая цепь. Сила тока в проводнике пропорциональна напряжению, а коэффициентом проп-ти называется сопротивление. Георг Ом (1787-1854)
Проводимость G=1/R. Сопротивление вызвано тем, что электроны тормозятся за счет взаимодействия с ионами крист. реш. ρ-удельное сопрот.R= ρV/S.
Сопротивление зависит от температуры. При её увеличении возрастает размах колебаний ионов в крист. реш.(вспомни график.)
26.Закон Джоуля –Ленца.
Q=RI^2t Q=in(Ridt,t-0)
Рассмотрим элемент проводника и узнаем какой заряд за время dt:
dq=idt dA=Udq=Vidt
Подставим получим.
dA=i^2Rdt R= ρ(dl/ds)j^2(dS^2)dt=ρi^2dVdt
Удельная мощность тока ω=ρi^2 jE=бЕ^2=W

=====================================================

Постоянное электрическое поле в вакууме.
* Напряженность и потенциал поля точечного заряда q:
E=qr/(4pe0r3),F=q/(4pe0r)
* Связь между напряженностью поля и потенциалом:
E=-grad(f)
* Теорема Гаусса и циркуляция вектора E :
in0(EdS)=q/e0 , in0(Edr)=0.
* Потенциал и напряженность поля точечного диполя с электрическим моментом p :
f=pr/(4pe0r3), E=p(Sqr(1+3cos2J))/(4pe0r3) ,где J - угол между векторами p и r .
* Энергия W диполя p во внешнем электрическом поле и момент сил N, действующих на диполь:
W=-pE,N=[pE].
* Сила, действующая на диполь, и её проекция Fx:
F=p(dE)/(dl),Fx=p*grad(Ex).
где dE/dl - производная вектора Е по на правлению диполя, grad(Ex) - градиент.
Проводники и диэлектрики в электрическом поле.
* Напряженность электрического поля у поверхности проводника в вакууме:
En=s/e0.
* Потокполяризованности Р через замкнутую поверхность:
in0(PdS)=-q',
q'- алгебраическая сумма связанных зарядоввнутри этой поверхности.
* ВекторD (диэлектрическое смещение) и теоремаГаусса для него:
D=e0E+P,in0(DdS)=q,
q- алгебраическая сумма сторонних зарядов внутри замкнутой поверхности.
* Условия на границе раздела двух диэлектриков:
P2n-P1n=-s‘
где s‘ и s - поверхностные плотности связанных и сторонних зарядов, a орт нормали n направлен из среды 1 в 2.
* Для изотропных диэлектриков:
P=cpe0E, D=ee0E, e=1+c.
* В случае изотропного однородного диэлектрика, заполняющего все пространство между эквипотенциальными поверхностями:
E=E0/e.

Электроемкость. Энергия электрического поля.
* Емкость плоского конденсатора:
С=ee0S/d.
* Энергия взаимодействия системы точечных зарядов:
W=0.5SqifI
* Полная электрическая энергия системы с непрерывным распределением зарядов:
W=0.5*in(frdV)
* Полная электрическая энергия двух заряженых тел 1 и 2:
W=W1+W2+W12
* Энергия заряженного конденсатора:
W=qU/2=q2/2C=CU2/2.
* Объемная плотность энергии электрического поля:
w=ED/2=ee0E2/2.
Электрический ток.
* Закон Ома для неоднородного участка цепи:
I=U12/R=(f1-f2+е.д.с.12)/R
где - падение напряжения на данном участке.
* Закон Ома в дифференциальной форме:
j=s(E+E*),
где Е*- напряженность поля сторонних сил.
* Правила Кирхгофа:
SIk=0, SIkRk=å е.д.с.k
* Мощность тока P и тепловая мощность Q:
P=UI=(f1-f2+е.д.с.12)I, Q=RI2
* Удельная мощность тока Руд и удельная тепловая мощность:
Pуд=j(E+E*), Qуд=rj2
* Плотность тока в металле:
j=enu,
где u - средняя скорость носителей.
* Число ионов, рекомбинирующих за единицу времени в единице объема газа:
nr=rn2
где r - коэффициент рекомбинации.

Постоянное магнитное поле.Магнетики.
* Магнитное поле точечного заряда q, движущегося с нерелятивистской скоростью v:
B=m0q[vr]/(4pr3)
* Закон Био-Савара:
dB=m0q[jr]dV/(4pr3), dB=m0I[dl,r]/(4pr3)
* Циркуляция вектора В (в вакууме) и теорема Гаусса для него:
in0(Bdr)=m0I, in0(BdS)=0
* Сила Лоренца:
F=qE+q
[vB]* Сила Ампера:
dF=[jB]dV, dF=I[dl,B]
* Сила и момент сил, действующие на магнитный диполь pm=Isn:
F=pm(dB/dn), dF=I[dl,B]
* Элементарная работа амперовских сил при перемещении контура с током:
dA=IdФ
* Циркуляция намагниченности J:
in0(Jdr)=I’, где I’- суммарный ток.
* Вектор Н и его циркуляция:
Н=B/m0-J , in0(Hdr)=I, где I- алгебраическая сумма макроскопических токов.
* Условия на границе раздела двух магнетиков:
B1n=B2n, H1t=H2t
Для магнетиков, у которых J=cH:
B=mm0H, m=1+c

Электромагнитная индукция. Уравнения Максвелла.
* Закон электромагнитной индукции Фарадея:
е.д.с.i=-dФ/dt
* В случае соленоида и тороида:
Ф=NФ1, где - число витков, Ф1 – магнитный поток через каждый виток
* Индуктивность соленоида:
L=mm0n2V
* Собственная энергия тока и взаимная энергия двух токов:
W=LI2/2, W12=L12I1I2
* Объемная плотность энергии магнитного поля:
w=B2/2mm0=BH/2
* Плотность тока смещения:
jсм=dD/dt
* Уравнения Максвелла в дифференциальной форме:
rot(E)=- dB/dt, div(B)=0,
rot(H)=j+dDd/t, div(D)=0.
* Плотность потока электромагнитной энергии (вектор Пойнтинга) и объемная плотность энергии электромагнитного поля:
S=[EH], =ED/2+BH/2
* Формулы преобразования полей при переходе от К-системы отсчета к движущейся по отношению к ней со скоростью v0 К’-системе:
v0< else E’||=E||, B’||=B||
E’|_=(E|_+[v0B])/(sqr(1-(v0/c2))) B|_=(B|_-[v0E]/c2)/(sqr(1-(v0/c2))
* Инварианты электромагнитного поля:
EB=inv, E2-c2B2=inv
Движение заряженных частиц в электрическом и магнитном полях
* Сила Лоренца:
F=qE+q
[vB]* Уравнение движения релятивистской частицы:
dmv/(dt sqr(1-(v/c)2))=F
* Период обращения заряженной частицы в однородном магнитном поле:
T=2mr/qB, где мр – релятивисткая масса частицы, mr=m/(sqr(1-(v/c)2))

=======================
SSS(что-то)= Сумма ряда.
in(что-то) = Интеграл.
in0(что-то) = Интеграл по замкнутой поверхности.
sqr(что-то) = Квадратный корень..
// = Параллельность.
Lim(что-то) = Предел по.
==> = Следовательно.
=======================
Категория: Учебные статьи | Добавил: DiP_admin (21 Января 2014) | Автор: Дмитрий E
Просмотров: 3623
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Разделы новостей
Мои статьи [24]
Учебные статьи [9]
Заработок [0]
ВЕБ-мастеру [0]
Online-сервисы [0]
Интересное [0]

Статистика

Яндекс.Метрика


Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0

Все пользователи

Яндекс цитирования Rambler's Top100

Сайт работает с 2008 года